BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.15 грн |
| 6000+ | 6.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFR182E6327HTSA1 за ціною від 5.12 грн до 25.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 8694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 14788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR182E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |