Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193L3E6327XTMA1

BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies

Name: BFR193L3E6327XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 115354-7
Price: 7.34 UAH
Availability: InStock

184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 15000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSLP-3-1, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BFR193L3E6327XTMA1 за ціною від 6.17 грн до 42.92 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15000+	8.39 грн
30000+	7.7 грн
75000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 15000

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

bfr193l3.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431400ef680114271fc1ec06db

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2396+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 2396

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15000+	9.04 грн
30000+	8.3 грн
75000+	7.99 грн

Мінімальне замовлення: 15000

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 14285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1122+	10.39 грн
1241+	9.38 грн
1285+	9.07 грн
2000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 1122

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 15000

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
150+	15.35 грн
500+	11.62 грн
1000+	8.24 грн
5000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 150

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 8983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
485+	24.04 грн
615+	18.94 грн
685+	17 грн
838+	13.4 грн
1504+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 485

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 8983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
18+	32.71 грн
22+	26.43 грн
25+	24.12 грн
50+	21.52 грн
100+	15.7 грн
250+	13.53 грн
500+	11.06 грн
1000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 18

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
17+	34 грн
25+	33.86 грн
100+	32.52 грн
250+	29.99 грн
500+	28.67 грн
1000+	28.55 грн
3000+	28.44 грн
6000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 17

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
320+	36.46 грн
321+	36.32 грн
322+	36.17 грн
500+	34.74 грн
1000+	32.03 грн
3000+	30.62 грн
6000+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 320

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 5679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
18+	42.92 грн
25+	30.33 грн
100+	15.35 грн
500+	11.62 грн
1000+	8.24 грн
5000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 18

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

товар відсутній

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R

товар відсутній

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active

товар відсутній

BFR193L3E6327XTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active

товар відсутній