BFR520,215

BFR520,215 NXP Semiconductors


bfr520_3.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 15V 0.07A 300mW 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR520,215 NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFR520,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFR520,215 BFR520,215 Виробник : NXP 1499143.pdf Description: NXP - BFR520,215 - RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
BFR520,215 BFR520,215 Виробник : NXP USA Inc. BFR520_Rev4.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFR520,215 BFR520,215 Виробник : NXP USA Inc. BFR520_Rev4.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFR520,215 BFR520,215 Виробник : NXP Semiconductors BFR520-1125831.pdf RF Bipolar Transistors NPN 70MA 15V 9GHZ
товар відсутній
BFR520,215 Виробник : onsemi BFR520_Rev4.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній