BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TSLP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 16.02 грн |
| 500+ | 13.35 грн |
| 1000+ | 9.64 грн |
| 5000+ | 9.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230, DC-Stromverstärkung hFE: 230, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 125, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TSLP, Bauform - HF-Transistor: TSLP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.6, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 55, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BFR843EL3E6327XTSA1 за ціною від 9.26 грн до 25.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR843EL3E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR843EL3E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFR843EL3E6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230 DC-Stromverstärkung hFE: 230 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125 Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TSLP Bauform - HF-Transistor: TSLP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.6 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 55 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFR843EL3E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |