BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFS481H6327XTSA1 за ціною від 15.01 грн до 95.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 8654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS481H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT363 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased RF BIP TRANSISTORS |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFS481H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT363 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
товар відсутній |