BFU520XVL

BFU520XVL NXP Semiconductors


BFU520X-1517169.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
12+ 27.12 грн
100+ 16.14 грн
1000+ 9.1 грн
2500+ 8.44 грн
10000+ 7.17 грн
20000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU520XVL NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 10.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFU520XVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFU520XVL BFU520XVL Виробник : NXP Semiconductors 3482bfu520x.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XVL BFU520XVL Виробник : NXP USA Inc. BFU520X.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній