BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.61 грн |
| 12+ | 27.56 грн |
| 100+ | 20.4 грн |
| 500+ | 18.92 грн |
| 1000+ | 16.83 грн |
| 2500+ | 16.63 грн |
| 5000+ | 15.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V.
Інші пропозиції BGA5H1BN6E6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : NXP |
 ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||
 |
BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC RF AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ |
товар відсутній |
|
|
|
BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC RF AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ |
товар відсутній |