BIDW75N65EH5 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.7 грн |
| 30+ | 320.38 грн |
| 120+ | 286.67 грн |
| 510+ | 237.38 грн |
| 1020+ | 213.64 грн |
| 2010+ | 200.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BIDW75N65EH5 Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns, Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 186 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 394 W.
Інші пропозиції BIDW75N65EH5 за ціною від 219.64 грн до 452.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BIDW75N65EH5 | Виробник : Bourns |
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|