BLF6G27LS-75,112 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 18A
Mounting Type: Chassis Mount
Power - Output: 9W
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 600 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 18A
Mounting Type: Chassis Mount
Power - Output: 9W
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 600 mA
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 5966.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF6G27LS-75,112 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 18A, Mounting Type: Chassis Mount, Power - Output: 9W, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 600 mA.
Інші пропозиції BLF6G27LS-75,112 за ціною від 9139.13 грн до 9139.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BLF6G27LS-75,112 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BLF6G27LS-75,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BLF6G27LS-75,112 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3-Pin SOT-502B Bulk |
товар відсутній |