BLF888AS,112 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - BLF888AS,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22711.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLF888AS,112 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-539B, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 860MHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 250W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT539B, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 1.3 A.
Інші пропозиції BLF888AS,112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF888AS,112 | Виробник : Ampleon |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539B Bulk |
товар відсутній |
|
 |
BLF888AS,112 | Виробник : Ampleon |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539B Bulk |
товар відсутній |
|
 |
BLF888AS,112 | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B Packaging: Tray Package / Case: SOT-539B Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 250W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT539B Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.3 A |
товар відсутній |