BS170G ON


Виробник: ON
TO-92
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS170G ON

Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V.

Інші пропозиції BS170G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BS170G Виробник : ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
BS170G Виробник : ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
BS170G BS170G Виробник : ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
BS170G BS170G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
BS170G BS170G Виробник : onsemi MMBF170_D-2315979.pdf MOSFET 60V 500mA N-Channel
товар відсутній