BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 64.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSC009NE2LS5IATMA1 за ціною від 65.85 грн до 323.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 19418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
на замовлення 6202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 19268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LV POWER MOS |
на замовлення 14095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8 |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
BSC009NE2LS5IATMA1 Код товару: 195332 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |