Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSATMA1
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC011N03LSATMA1 за ціною від 40.28 грн до 107.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.18 грн
10000+ 48.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.89 грн
10000+ 51.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.86 грн
11+ 57 грн
25+ 56.68 грн
100+ 48.83 грн
250+ 44.93 грн
500+ 40.43 грн
1000+ 40.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+61.38 грн
192+ 61.04 грн
215+ 54.54 грн
250+ 52.26 грн
500+ 45.36 грн
1000+ 43.38 грн
Мінімальне замовлення: 191
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.85 грн
500+ 55.77 грн
1000+ 49.81 грн
5000+ 48.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+73.43 грн
165+ 71.09 грн
179+ 65.53 грн
200+ 61.4 грн
500+ 56.76 грн
1000+ 51.73 грн
2000+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 41540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.94 грн
10+ 68.78 грн
100+ 54.74 грн
500+ 46.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 53374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.35 грн
10+ 74.24 грн
100+ 52.21 грн
500+ 49.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+107.85 грн
10+ 87.62 грн
100+ 67.85 грн
500+ 55.77 грн
1000+ 49.81 грн
5000+ 48.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній