BSC016N03LS G Infineon Technologies
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.65 грн |
| 10+ | 98.03 грн |
| 100+ | 67.93 грн |
| 250+ | 63.2 грн |
| 500+ | 57 грн |
| 1000+ | 48.81 грн |
| 2500+ | 46.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N03LS G Infineon Technologies
Description: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC016N03LS G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC016N03LS G | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSC016N03LS G | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC016N03LSG | Виробник : Infineon technologies |
|
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSC016N03LSG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
BSC016N03LS G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 |
товар відсутній |