Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC057N08NS3GATMA1
BSC057N08NS3GATMA1

BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC057N08NS3GATMA1 за ціною від 49.74 грн до 132.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+55.24 грн
10000+ 51.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+56.88 грн
10000+ 49.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+61.74 грн
10000+ 53.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+67.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC057N08NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360823.pdf MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.55 грн
10+ 83.26 грн
100+ 63.04 грн
500+ 57.46 грн
1000+ 52.08 грн
2500+ 51.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+102.83 грн
250+ 86.44 грн
1000+ 65.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+118.36 грн
109+ 107.69 грн
133+ 88.2 грн
200+ 79.62 грн
500+ 73.46 грн
1000+ 62.62 грн
2000+ 58.46 грн
5000+ 56.8 грн
10000+ 54.72 грн
Мінімальне замовлення: 99
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.18 грн
10+ 101.85 грн
100+ 81.04 грн
500+ 64.35 грн
1000+ 54.6 грн
2000+ 51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+132.64 грн
50+ 102.83 грн
250+ 86.44 грн
1000+ 65.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc057n08ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній