BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSC066N06NSATMA1 за ціною від 34.18 грн до 94.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 39109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 12454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 46W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC066N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 46W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |