BSC067N06LS3GATMA1

BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies


4161bsc067n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSC067N06LS3GATMA1 за ціною від 36.33 грн до 125.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+83.55 грн
165+ 71.11 грн
193+ 60.87 грн
203+ 55.63 грн
500+ 48.22 грн
1000+ 43.47 грн
2000+ 41.01 грн
5000+ 38.19 грн
Мінімальне замовлення: 141
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.99 грн
10+ 81.92 грн
100+ 63.74 грн
500+ 50.71 грн
1000+ 41.3 грн
2000+ 38.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC067N06LS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360650.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 25024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.05 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.49 грн
500+ 53.34 грн
1000+ 40.92 грн
5000+ 38.92 грн
10000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 29716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.07 грн
10+ 92.87 грн
100+ 69.13 грн
500+ 55.63 грн
1000+ 39.41 грн
5000+ 36.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc067n06ls3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4161bsc067n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній