Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10LS5ATMA1
BSC070N10LS5ATMA1

BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc070n10ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC070N10LS5ATMA1 за ціною від 75.34 грн до 185.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.07 грн
10+ 157.62 грн
25+ 140.71 грн
100+ 118.86 грн
250+ 105.66 грн
500+ 92.45 грн
1000+ 75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10LS5_DataSheet_v02_02_EN-3360605.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.99 грн
10+ 150.49 грн
100+ 114.92 грн
250+ 103.62 грн
500+ 93 грн
1000+ 77.72 грн
2500+ 77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товар відсутній