Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC076N06NS3GATMA1
BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

4955bsc076n06ns3_rev2.4.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSC076N06NS3GATMA1 за ціною від 33.34 грн до 111.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.59 грн
10000+ 33.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 38401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.69 грн
10+ 73.14 грн
100+ 56.92 грн
500+ 45.28 грн
1000+ 36.88 грн
2000+ 34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC076N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3361110.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.97 грн
10+ 75.32 грн
100+ 53.94 грн
500+ 46.56 грн
1000+ 35.74 грн
5000+ 33.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 49729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.77 грн
10+ 84.95 грн
100+ 62.97 грн
500+ 49.47 грн
1000+ 35.07 грн
5000+ 33.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC076N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC076N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній