BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 15.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC080N03MSGATMA1 за ціною від 16.79 грн до 55.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V |
на замовлення 23811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товар відсутній |