Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC090N03LSGATMA1
BSC090N03LSGATMA1

BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies

1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC090N03LSGATMA1 за ціною від 14.58 грн до 61.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.36 грн
10000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC090N03LS_DS_v02_01_en-1226326.pdf MOSFET N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.24 грн
10+ 36.82 грн
100+ 22.92 грн
500+ 19.79 грн
1000+ 15.41 грн
2500+ 15.08 грн
5000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 22725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.99 грн
10+ 37.92 грн
100+ 26.25 грн
500+ 20.58 грн
1000+ 17.52 грн
2000+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 0.0075 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.62 грн
15+ 51.94 грн
100+ 36.36 грн
500+ 26.71 грн
1000+ 19.74 грн
2500+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній