BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 18 грн до 81.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V |
на замовлення 40666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 100481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm |
на замовлення 108842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 71110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4473 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC093N04LSGATMA1 Код товару: 174414 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|