BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 16.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSC110N06NS3GATMA1 за ціною від 23.33 грн до 74.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 74021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 8419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 12557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 50A Drain-source voltage: 60V Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 50A Drain-source voltage: 60V Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |