Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N15NS5SCATMA1
BSC110N15NS5SCATMA1

BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a69a2931d9 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+124.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC110N15NS5SCATMA1 за ціною від 112.15 грн до 273.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a69a2931d9 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.93 грн
10+ 206.13 грн
100+ 166.76 грн
500+ 139.11 грн
1000+ 119.11 грн
2000+ 112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360854.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.39 грн
10+ 226.49 грн
25+ 185.6 грн
100+ 159.56 грн
250+ 150.21 грн
500+ 141.53 грн
1000+ 120.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC110N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf SP005561075
товар відсутній
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній