Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC117N08NS5ATMA1
BSC117N08NS5ATMA1

BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC117N08NS5ATMA1 за ціною від 35.85 грн до 110.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.71 грн
10000+ 38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.64 грн
250+ 59.99 грн
1000+ 42.69 грн
3000+ 37.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+77.52 грн
162+ 72.09 грн
192+ 60.64 грн
204+ 55.29 грн
500+ 51.03 грн
1000+ 44.33 грн
Мінімальне замовлення: 151
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+85.39 грн
138+ 84.58 грн
177+ 65.8 грн
250+ 62.81 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 39.8 грн
3000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 137
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.4 грн
50+ 70.64 грн
250+ 59.99 грн
1000+ 42.69 грн
3000+ 37.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+98.8 грн
10+ 80.4 грн
25+ 79.66 грн
100+ 61.77 грн
250+ 56.51 грн
500+ 47.16 грн
1000+ 36.48 грн
3000+ 35.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 22375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.63 грн
10+ 83.45 грн
100+ 64.88 грн
500+ 51.61 грн
1000+ 42.05 грн
2000+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360867.pdf MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 80118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.82 грн
10+ 86.32 грн
100+ 58.19 грн
500+ 51.75 грн
1000+ 39.79 грн
2500+ 39.32 грн
5000+ 38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній