BSC120N12LSGATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 86.13 грн |
| 500+ | 70.24 грн |
| 1000+ | 52.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC120N12LSGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm.
Інші пропозиції BSC120N12LSGATMA1 за ціною від 52.25 грн до 152.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 4048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm |
на замовлення 4655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004486460 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC120N12LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V |
товар відсутній |