Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 20.07 грн до 120.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.04 грн
10000+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.69 грн
10000+ 36.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.42 грн
10000+ 36.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.53 грн
10000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.65 грн
10000+ 41.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
265+43.95 грн
289+ 40.36 грн
298+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 265
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.12 грн
10+ 58.58 грн
100+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.64 грн
170+ 68.5 грн
203+ 57.63 грн
214+ 52.58 грн
500+ 48.51 грн
1000+ 42.08 грн
2000+ 39.67 грн
5000+ 38.67 грн
10000+ 37.51 грн
Мінімальне замовлення: 159
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 66W
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+89.42 грн
6+ 58.81 грн
10+ 51.9 грн
18+ 44.98 грн
50+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 24676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.88 грн
10+ 78.81 грн
100+ 61.33 грн
500+ 48.78 грн
1000+ 39.74 грн
2000+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 66W
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.3 грн
4+ 73.29 грн
10+ 62.27 грн
18+ 53.97 грн
50+ 50.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en-1226212.pdf MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 61106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 87.85 грн
100+ 59.32 грн
500+ 50.28 грн
1000+ 38.53 грн
2500+ 38.46 грн
5000+ 36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 84042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.72 грн
10+ 91.65 грн
100+ 67.88 грн
500+ 53.42 грн
1000+ 37.81 грн
5000+ 35.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)