BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 34.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції BSC123N10LSGATMA1 за ціною від 44.87 грн до 154.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 |
на замовлення 14824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
на замовлення 27816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 29730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC123N10LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 71A |
товар відсутній |