BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.58 грн |
| 10000+ | 24.42 грн |
| 25000+ | 24.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC150N03LDGATMA1 за ціною від 23.82 грн до 78.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 50701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC150N03LDGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 26W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |