Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC320N20NS3GATMA1
BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc320n20ns3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012495e3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC320N20NS3GATMA1 за ціною від 95.17 грн до 295.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 16766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+157.97 грн
250+ 139.35 грн
1000+ 105.17 грн
3000+ 95.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+183.31 грн
50+ 157.97 грн
250+ 139.35 грн
1000+ 105.17 грн
3000+ 95.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 17409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217 грн
10+ 175.47 грн
100+ 141.99 грн
500+ 118.44 грн
1000+ 101.42 грн
2000+ 95.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC320N20NS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3360755.pdf MOSFET N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.49 грн
10+ 192.5 грн
25+ 160.75 грн
100+ 135.51 грн
250+ 134.84 грн
500+ 120.23 грн
1000+ 97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+233.15 грн
10+ 206.7 грн
25+ 182.13 грн
100+ 162 грн
250+ 137.64 грн
500+ 119.54 грн
1000+ 99.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+251.09 грн
53+ 222.6 грн
60+ 196.14 грн
100+ 174.46 грн
250+ 148.23 грн
500+ 128.73 грн
1000+ 107.64 грн
Мінімальне замовлення: 47
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+295.9 грн
62+ 189.01 грн
77+ 152.4 грн
100+ 137.41 грн
200+ 126.35 грн
500+ 108.57 грн
1000+ 100.94 грн
2000+ 98.39 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC320N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC320N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній