Продукція > NXP > BSH114,215

BSH114,215 NXP


BSH114.pdf Виробник: NXP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH114,215 NXP

Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSH114,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSH114,215 BSH114,215 Виробник : NEXPERIA 70606054564022bsh114.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSH114,215 BSH114,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH114.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товар відсутній
BSH114,215 BSH114,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH114.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
товар відсутній
BSH114,215 BSH114,215 Виробник : Nexperia BSH114-1320195.pdf MOSFET TAPE7 PWR-MO
товар відсутній