Технічний опис BSH121,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH121,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 500 mA, 2.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 500, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 700, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Verlustleistung: 700, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BSH121,135
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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| BSH121,135 | Виробник : Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
на замовлення 25581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSH121,135 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BSH121,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 500 mA, 2.3 ohm, SOT-323, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 500 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 700 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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