BSH205G2AR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.75 грн |
| 6000+ | 5.3 грн |
| 9000+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH205G2AR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm.
Інші пропозиції BSH205G2AR за ціною від 4.02 грн до 34.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH205G2AR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2AR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSH205G2A/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 785896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |