BSM250D17P2E004 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 61065.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM250D17P2E004 ROHM
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.
Інші пропозиції BSM250D17P2E004 за ціною від 67668.36 грн до 172306.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1800W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BSM250D17P2E004 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|