BSM25GD120DN2BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12528.4 грн |
| 5+ | 11942.7 грн |
| 10+ | 11357 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GD120DN2BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: EconoPACK, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 17Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції BSM25GD120DN2BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM25GD120DN2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200W |
товар відсутній |
|
| BSM25GD120DN2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW |
товар відсутній |
||
| BSM25GD120DN2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 35A 200W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 200 W Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| BSM25GD120DN2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |