Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO220N03MDGXUMA1
BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

bso220n03md_rev1.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.26 грн
5000+ 23.03 грн
10000+ 22.85 грн
12500+ 21.82 грн
25000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSO220N03MDGXUMA1 за ціною від 20.07 грн до 72.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.35 грн
5000+ 23.11 грн
10000+ 22.94 грн
12500+ 21.89 грн
25000+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.49 грн
5000+ 22.46 грн
12500+ 21.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.64 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.37 грн
50+ 38 грн
100+ 32.64 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 68926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.72 грн
10+ 37.35 грн
100+ 27.1 грн
500+ 24.38 грн
1000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+54.8 грн
215+ 54.26 грн
270+ 43.25 грн
272+ 41.29 грн
500+ 33.04 грн
1000+ 23.98 грн
Мінімальне замовлення: 213
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.92 грн
10+ 46.64 грн
100+ 36.28 грн
500+ 28.86 грн
1000+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.58 грн
12+ 50.89 грн
25+ 50.39 грн
100+ 38.72 грн
250+ 35.5 грн
500+ 29.45 грн
1000+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+72.14 грн
190+ 61.36 грн
207+ 56.31 грн
219+ 51.43 грн
500+ 44.53 грн
1000+ 40.12 грн
2500+ 27.91 грн
5000+ 26.72 грн
Мінімальне замовлення: 162
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
товар відсутній
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
товар відсутній
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
товар відсутній