Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6327XTSA1
BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp125_rev.2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSP125H6327XTSA1 за ціною від 16.21 грн до 70.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.19 грн
2000+ 19.89 грн
5000+ 18.84 грн
10000+ 16.37 грн
25000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.78 грн
2000+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+32.22 грн
2000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.42 грн
25+ 29.76 грн
36+ 22.74 грн
98+ 21.49 грн
1000+ 21.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.82 грн
500+ 29.35 грн
1000+ 20.41 грн
5000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
289+40.56 грн
338+ 34.71 грн
356+ 32.96 грн
500+ 29.71 грн
1000+ 25.85 грн
2000+ 23.4 грн
4000+ 21.82 грн
8000+ 21.73 грн
Мінімальне замовлення: 289
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.51 грн
25+ 37.09 грн
36+ 27.29 грн
98+ 25.79 грн
1000+ 25.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 28201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.89 грн
10+ 45.34 грн
100+ 31.4 грн
500+ 24.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.43 грн
10+ 50.44 грн
100+ 30.38 грн
500+ 25.37 грн
1000+ 21.56 грн
2000+ 19.16 грн
5000+ 18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.85 грн
13+ 60.14 грн
100+ 37.82 грн
500+ 29.35 грн
1000+ 20.41 грн
5000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній