на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP250,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSP250,115 за ціною від 12.76 грн до 69.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 22998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 23357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73 |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP250,115 | Виробник : NXP |
P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSP250,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |