BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 26.61 грн |
2000+ | 24.13 грн |
5000+ | 22.98 грн |
10000+ | 20.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm.
Інші пропозиції BSP296NH6327XTSA1 за ціною від 20.38 грн до 77.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm |
на замовлення 11231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V |
на замовлення 11562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm |
на замовлення 11231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 |
на замовлення 62060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSP296NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |