BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 25.05 грн |
| 8000+ | 22.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm.
Інші пропозиції BSP296NH6433XTMA1 за ціною від 21.18 грн до 72.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V |
на замовлення 14692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSP296NH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |