BSP52T1G ON Semiconductor
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 9.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP52T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BSP52T1G за ціною від 7.15 грн до 37.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN |
на замовлення 14669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSP52T1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BSP52T1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 25426 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |