на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.6 грн |
| 14+ | 22.75 грн |
| 100+ | 15.25 грн |
| 500+ | 11.85 грн |
| 1000+ | 8.59 грн |
| 4000+ | 7.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP52T3G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції BSP52T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP52T3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BSP52T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BSP52T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BSP52T3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
 |
BSP52T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|
|
|
BSP52T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|
|
|
BSP52T3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |