Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > BSS123
BSS123

BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

DS_4530_BSS123.pdf Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.56 грн
6000+ 1.42 грн
9000+ 1.21 грн
30000+ 1.05 грн
75000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.84 грн до 207.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 140
BSS123 BSS123 Виробник : Good-Ark Semiconductor BSS123.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.08 грн
45000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3178+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3178
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+3.86 грн
109+ 3.2 грн
250+ 2.82 грн
323+ 2.5 грн
888+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 98
BSS123 BSS123 Виробник : NextGen Components BSS1230000SSAW.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.99 грн
9000+ 3.46 грн
24000+ 2.83 грн
45000+ 2.49 грн
99000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.28 грн
6000+ 3.94 грн
9000+ 3.41 грн
30000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+4.63 грн
100+ 3.99 грн
250+ 3.39 грн
323+ 3 грн
888+ 2.83 грн
3000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1671+7.01 грн
2156+ 5.43 грн
2256+ 5.19 грн
3158+ 3.57 грн
3750+ 2.79 грн
6000+ 2.37 грн
15000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 1671
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 342758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123 BSS123 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.67 грн
45+ 6.19 грн
100+ 3.32 грн
500+ 2.45 грн
1000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS123 BSS123 Виробник : Good-Ark Semiconductor BSS123.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13 грн
25+ 11.2 грн
27+ 10.68 грн
100+ 5.74 грн
250+ 4.25 грн
500+ 3.53 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+16.17 грн
47+ 12.39 грн
49+ 11.88 грн
100+ 6.27 грн
250+ 4.5 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.95 грн
3000+ 2.48 грн
6000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.26 грн
40+ 14.83 грн
100+ 6.42 грн
1000+ 4.82 грн
3000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 55723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 15.99 грн
100+ 8.1 грн
500+ 6.2 грн
1000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi / Fairchild BSS123_D-2310466.pdf MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 168247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.39 грн
17+ 18.66 грн
100+ 9.21 грн
1000+ 4.67 грн
2500+ 4.01 грн
10000+ 3.2 грн
45000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 342758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.66 грн
37+ 20.6 грн
100+ 8.01 грн
500+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSS123 Виробник : SLKOR bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : SHIKUES bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : UMW bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : JSMicro Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : HT Jinyu Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10639+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10639
BSS123 Виробник : Fairchild bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSS123 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : Diodes Incorporated bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFET
товар відсутній
BSS123 Виробник : Nexperia bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFET
товар відсутній
BSS123 Виробник : ROHM Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFET
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : Infineon Technologies bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf BSS123.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній