BSS139H6906XTSA1

BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies


bss139_rev1.8.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afileiddb3a304333b8a7ca0133eed3136c61f2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 45000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS139H6906XTSA1 за ціною від 17.34 грн до 67.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
на замовлення 42689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.16 грн
500+ 25.04 грн
1000+ 17.78 грн
5000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss139_rev1.8.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afileiddb3a304333b8a7ca0133eed3136c61f2.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 45000
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss139_rev1.8.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afileiddb3a304333b8a7ca0133eed3136c61f2.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
на замовлення 42689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.43 грн
15+ 51.64 грн
100+ 32.16 грн
500+ 25.04 грн
1000+ 17.78 грн
5000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS139-DS-v01_08-en-598465.pdf MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 44759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.35 грн
10+ 66.16 грн
3000+ 48.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
товар відсутній