BSS139IXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.64 грн |
| 6000+ | 6.13 грн |
| 9000+ | 5.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS139IXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm.
Інші пропозиції BSS139IXTSA1 за ціною від 5.22 грн до 26.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS139IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 29420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS139IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 6862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 14.0 Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |