на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.16 грн |
| 14+ | 23.03 грн |
| 100+ | 11.35 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| 3000+ | 4.94 грн |
| 9000+ | 4.01 грн |
| 24000+ | 3.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS214NW H6327 Infineon Technologies
Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSS214NW H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS214NW H6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| BSS214NWH6327 | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSS214NWH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V |
товар відсутній |