Продукція > ROHM > BSS64AHZGT116
BSS64AHZGT116

BSS64AHZGT116 ROHM


bss64ahzgt116-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.24 грн
500+ 5.39 грн
1500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS64AHZGT116 ROHM

Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSS64AHZGT116 за ціною від 3.27 грн до 28.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 Виробник : ROHM bss64ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+21.34 грн
51+ 14.83 грн
100+ 8.24 грн
500+ 5.39 грн
1500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS64AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT 64AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.27 грн
16+ 19.42 грн
100+ 7.01 грн
1000+ 5.07 грн
3000+ 4.01 грн
9000+ 3.47 грн
24000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss64ahzgt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS64AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS64AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній