BSS64LT1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSS64LT1G за ціною від 1.41 грн до 17.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 15011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN |
на замовлення 10383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz |
товар відсутній |