BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm.
Інші пропозиції BSS670AHZGT116 за ціною від 5.94 грн до 62.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS670AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS670AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS670AHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET MOSFET 60V N-CHAN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS670AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS670AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A Automotive 3-Pin SST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS670AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A Automotive 3-Pin SST T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|