BSS670T116

BSS670T116 Rohm Semiconductor


bss670t116-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1680+6.93 грн
1688+ 6.9 грн
2072+ 5.62 грн
2219+ 5.06 грн
3000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1680
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670T116 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSS670T116 за ціною від 5.31 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS670T116 BSS670T116 Виробник : Rohm Semiconductor bss670t116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1483+7.85 грн
1533+ 7.6 грн
2500+ 7.37 грн
Мінімальне замовлення: 1483
BSS670T116 BSS670T116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
13+ 21.93 грн
100+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS670T116 BSS670T116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Silicon N-CH Mosfet, 60V Drain, +--20V Gate.
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
12+ 25.82 грн
100+ 13.95 грн
1000+ 7.37 грн
3000+ 6.64 грн
9000+ 5.71 грн
24000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS670T116 BSS670T116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
товар відсутній